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SI2337

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SI2337DS-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOT-23
2023+
93350
全新原厂原装现货
SI2337DS-T1-GE3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI2337DS-T1-E3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
1324
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SI2337DS-T1-BE3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
1995
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SI2337
SI
SOP8
2023+
1473
全新进口原装现货,保证质量
SI2337
SI
SOP8
2023+
195
品质保证,价格优惠
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SI2337DS-T1-GE3
Vishay/Silicon..
TO-236-3,SC-..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI2337DS-T1-E3
Vishay/Silicon..
TO-236-3,SC-..
2023+
45350
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SI2337DS-T1-E3
VISHAY
SOT23-3
2023+
1358
工厂配单，价格优势
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SI2337DS-T1-GE3
VISHAY
SOT-23
2023+
6,000
全新原装，香港现货
SI2337DS-T1-E3
VISHAY
SOT-23
2023+
6000
原装现货
相关型号： SI2336DS-T1-GE3 SI2335DS-T1-GE3 SI2335DS-T1-E3 SI2334DS-T1-GE3 SI2333DS-T1-GE3 SI2333DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3
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SI2337DS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：500pF @ 40V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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