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SI2351DS

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SI2351DS-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOT-23
2023+
93350
全新原厂原装现货
SI2351DS-T1-E3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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联系人：洪小姐
QQ询价
SI2351DS-T1-GE3
Vishay Silicon..
SOT-23-3（TO-..
2023+
500
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SI2351DS-T1-GE3
Vishay/Silicon..
SOT-23-3,TO-..
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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SI2351DS-T1-GE3
Vishay/Silicon..
TO-236-3,SC-..
2023+
21350
全新进口原装现货品质保证
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SI2351DS-T1-E3
Vishay/Silicon..
TO-236-3,SC-..
2023+
99350
全新进口原装现货品质保证
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联系人：李
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SI2351DS-T1-E3
VISHAY
SOT-23
2023+
91278
工厂配单，价格优势
深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
电话：18922857317
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SI2351DS-TI-E3
8000
原装正品，价格优势！
2023+
N/A
￥15+
SI2351DS
8000
原装正品，价格优势！
2023+
N/A
￥15+
SI2351DS-T1-E3
10000
原装正品，价格优势！
2023+
A
￥15+
SI2351DS-T1-E3
VISHAY
SOT-23
2023+
6000
原装现货
相关型号： SI2343DS-T1-GE3 SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1 SI2343CDS-T1-GE3 SI2341DS-T1-GE3 SI2341DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3
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SI2351DS-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：115 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 10V
功率 - 最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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