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SI3457DV-T1

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SI3457DV-T1-E3 优势库存
VISHAY
TSOP-6
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SI3457DV-T1 优势库存
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SOT23
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SILICONIC
SOT-163
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SI3457DV-T1/57NR
SILICONIC
SOT-163
2023+
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SOT23-6
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SI3457DV-T1
SIL
进口原装 库房现货
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原装现货
相关型号： SI3457DV SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-E3 SI3457BDV-T1-GE3 SI3457BDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-GE3

SI3457DV
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SI3457DV参数：MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：8.1nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：470pF@15V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT

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