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SI3460DV-T1

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SI3460DV-T1 优势库存
SI
TO23
2023+
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SI3460DV-T1-E3 优势库存
VISHAY
TSOP-6
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SI3460DV-T1-GE3
Vishay Silicon..
6-TSOP
2023+
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6-TSOP
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SI3460DV-T1-E3
VISHAY
SOT-163
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SOT23-6
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SI3460DV-T1-GE3
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SI3460DV-T1
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SI3460DV-T1
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9860
一级代理/全新现货/长期供..
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SOT-163
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相关型号： SI3460DDV-T1-GE3 SI3460BDV-T1-GE3 SI3460BDV-T1-E3 SI3459DV-T1-E3 SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3
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SI3460DV-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商器件封装：6-TSOP

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