SI3588DV

SI3588DV-T1-E3
PDF资料下载

SI3588DV-T1-E3参数：MOSFET N/P-CH 20V 2.5/.57A 6TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.5A，570mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：830mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商器件封装：6-TSOP