SI3812DV

SI3812DV-T1-E3
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SI3812DV-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：830mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商器件封装：6-TSOP