SI3879DV-T1-E3参数：MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 6-TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：LITTLE FOOT®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 3.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V功率 - 最大值：3.3W安装类型：表面贴装封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）供应商器件封装：6-TSOP
