SI4110DY

SI4110DY-T1-GE3
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SI4110DY-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：53nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2205pF @ 40V
功率 - 最大值：7.8W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N