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SI4134DY

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SI4134DY-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOP8
2023+
93350
全新原厂原装现货
SI4134DY-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-SOIC
2023+
500
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SI4134DY-T1-E3
Vishay/Silicon..
8-SOIC(0.154..
2023+
1250
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SI4134DY-T1-GE3
VISHAY
SOP8
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
SI4134DY/T1/-GE3
VISHAY
SOP8
2023+
806
只做进口原装现货
SI4134DY
VISHAY
SO-8
2023+
5889
优势现货量大可供实单价可谈
相关型号： SI4133WM-EVB SI4133T-GM SI4133T-BM SI4133M-EVB SI4133GX2M-EVB SI4133GX2-BM

SI4134DY-T1-E3
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SI4134DY-T1-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：846pF @ 15V
功率 - 最大值：5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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