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SI4164DY

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SI4164DY-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOP8
2023+
93350
全新原厂原装现货
SI4164DY-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-SOIC
2023+
26250
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
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SI4164DY-T1-GE3
Vishay/Silicon..
8-SOIC（3.9mm）
2023+
5000
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
电话：18922857317
联系人：洪小姐
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SI4164DY-T1-GE3
Vishay/Silicon..
8-SOIC(0.154..
2023+
18350
全新进口原装现货品质保证
深圳市迈特新科技有限公司 VIP现货会员
电话：18922857317
联系人：李
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SI4164DY-T1-E3
VISHAY
SOP-8
2023+
32557
工厂配单，价格优势
深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
电话：18922857317
联系人：销售部
QQ询价
SI4164DY-T1-GE3
SOP8
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
SI4164DY
VISHAY
SO-8
2023+
5889
优势现货量大可供实单价可谈
相关型号： SI4162DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 SI4158DY-T1-GE3 SI4156DY-T1-GE3 SI4154DY-T1-GE3 SI4136M-EVB

SI4164DY-T1-GE3
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SI4164DY-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：95nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3545pF @ 15V
功率 - 最大值：6W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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