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SI417

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SI417 优势库存
SI
SOP-8P
2023+
752
全新原厂原装现货
SI4170DY-T1-E3 优势库存
VISHAY
SOP8
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VISHAY
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全新原厂原装现货
SI4178DY-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-SOIC
2023+
500
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SI4178DY-T1-E3
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SI4174DY-T1-GE3
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SI4170DY-T1-GE3
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SI417
SI
SOP-8P
2023+
172
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SI4170DY-T1-GE3
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8-SOIC（3.9mm）
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SI4178DY-T1-E3
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SI4170DY-T1-GE3
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5850
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SI417
SI
2023+
1450
工厂配单，价格优势
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电话：18922857317
联系人：销售部
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SI4178DY
VISHAY
SO-8
2023+
5889
优势现货量大可供实单价可谈
SI4172DY
VISHAY
SO-8
2023+
5889
优势现货量大可供实单价可谈
SI4172DY-T1-GE3
VISHAY
SOP8
2023+
56000
一级代理/全新原装现货/长..
SI4174DY
VISHAY
SO-8
2023+
5889
优势现货量大可供实单价可谈
SI4174DY-T1-GE3
VISHAY
SOP-8
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26000
一级代理/全新原装现货/长..
SI4174DY-T1-GE3
VISHAY
SO-8
2023+
2,500
全新原装，香港现货
SI4178DY-T1-GE3
VISHAY
SOP8
2023+
4900
全新原装公司、柜台现货特价..
相关型号： SI4168DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 SI4158DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3
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SI4170DY-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4355pF @ 15V
功率 - 最大值：6W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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