SI4286DY-T1-GE3参数：MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：32.5 毫欧 @ 8A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：375pF @ 20V功率 - 最大值：2.9W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SO
