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SI4336DY

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SI4336DY-T1 优势库存
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SOP8
2023+
767
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SI4336DY 优势库存
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13352
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SI4336DY-T1-E3 优势库存
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2023+
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SI4336DY-T1-E3
Vishay Silicon..
8-SOIC
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全新进口原装现货,特价热卖
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SILCON
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2023+
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全新进口原装现货,保证质量
SI4336DY-T1
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SOP-8
2023+
400
品质保证,价格优惠
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SI4336DY
VISHAY
SOP8
2023+
2500
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SI4336DY-T1-E3
Vishay/Silicon..
8-SOIC（3.9mm）
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6000
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全新进口原装现货品质保证
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2023+
3764
全新进口原装现货,特价热卖
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SI4336DYT1
VISHAY
SO-8
2023+
21278
工厂配单，价格优势
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深圳现货，专业配套
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SI4336DY-T1-E3
VISHAY
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2023+
500
SI4336DY-T1-E3
VISHAY
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SI4336DY-T1
SILICONIX
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9000
全新原装现货
相关型号： SI4330DY-T1-GE3 SI4330DY-T1-E3 SI4330-B1-FMR SI4330-B1-FM SI4324DY-T1-GE3 SI4324DY-T1-E3

SI4336DY-T1-E3
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SI4336DY-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.25 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5600pF @ 15V
功率 - 最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

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