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SI4401DY

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SI4401DY-T1-E3 优势库存
SILICONIX
SOP8
2023+
3180
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SI4401DY 优势库存
VISHAY
SOP
2023+
10356
原装现货，价格优势
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SI4401DY-T1-GE3
Vishay Silicon..
8-SOIC
2023+
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SI4401DY-T1-E3
Vishay Silicon..
8-SOIC
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SI4401DY
VISHAY
5
2023+
5984
全新进口原装现货,特价热卖
SI4401DY-T1
VISHAY
SO-8
2023+
1019
全新进口原装现货,特价热卖
SI4401DY-T1-E3
SILICONIX
SOP8
2023+
2540
全新进口原装现货,特价热卖
SI4401DY-T1
VIS
SOP8
2023+
1719
品质保证,价格优惠
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SI4401DY
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SOP-8
2023+
24
品质保证,价格优惠
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SI4401DY-T1-GE3
Vishay/Silicon..
8-SOIC(0.154..
2023+
1250
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SI4401DY-T1-E3
Vishay/Silicon..
8-SOIC(0.154..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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SI4401DYT1
VISHAY
SO-8
2023+
21278
全新进口原装现货,保证质量
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SI4401DY-TI-E3
VISHAY
SOP-8
2023+
3195
工厂配单，价格优势
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SI4401DY
VISHAY
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： SI4401DDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-E3 SI4398DY-T1-GE3 SI4398DY-T1-E3 SI4396DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-E3
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SI4401DY-T1-E3参数：MOSFET P-CH 40V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15.5 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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