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SI4435DYTRPBF

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SI4435DYTRPBF
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SI4435DYTRPBF参数：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
标准包装：4,000
系列：HEXFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2320pF@15V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO

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