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SI5853CDC

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SI5853CDC-T1-E3 优势库存
VISHAY
1206-8
2023+
3188
全新原厂原装现货
SI5853CDC 优势库存
VISHAY
DFN32
2023+
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SI5853CDC-T1-E3
Vishay Silicon..
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2023+
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1206-8
2023+
988
品质保证,价格优惠
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SI5853CDC
VISHAY
DFN32
2023+
300000
品质保证,价格优惠
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SI5853CDC-T1-E3
Vishay/Silicon..
1206-8ChipFE..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
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电话：18922857317
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SI5853CDC-T1-E3
VISHAY
TO-92
2023+
5557
全新原装环保现货
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SI5853CDC
VISHAY
SMD
2023+
302557
工厂配单，价格优势
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SI5853CDC-T1-E3
VISHAY
SOT23-8
2023+
20883
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相关型号： SI5519DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-E3 SI5515DC-T1-GE3 SI5515DC-T1-E3 SI5515CDC-T1-GE3

SI5853CDC-T1-E3
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SI5853CDC-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：LITTLE FOOT®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：104 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 10V
功率 - 最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：1206-8 ChipFET?

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