SI5855DC-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 2.7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：1206-8 ChipFET?
