SI6463BDQ

SI6463BDQ-T1-E3
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SI6463BDQ-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 7.4A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.05W
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-TSSOP