SI7112DN

SI7112DN-T1-E3
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SI7112DN-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 17.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：260pF @ 15V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8