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SI7113DN

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深圳市迈特新科技有限公司

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QFN1212-8

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相关型号： SI7112DN-T1-GE3 SI7112DN-T1-E3 SI7110DN-T1-GE3 SI7110DN-T1-E3 SI7108DN-T1-GE3 SI7108DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3
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SI7113DN-T1-E3参数：MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：134 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1480pF @ 50V
功率 - 最大值：52W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

SI7113DN

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