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SI7136DP

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SI7136DP 优势库存
VISHAY
QFN8
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8383
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SI7136DP-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
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SI7136DP-T1-E3
VISHAY
QFN
2023+
24557
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SI7136DP-T1-E4
IOR
SOP-8
2023+
81278
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SI7136DP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
1250
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SI7136DP-T1-E3
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2023+
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相关型号： SI7135DP-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 SI7123DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 SI7120DN-T1-GE3 SI7120DN-T1-E3

SI7136DP-T1-E3
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SI7136DP-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 30A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3380pF @ 10V
功率 - 最大值：39W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

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