SI7192DP-T1-GE3

SI7192DP-T1-GE3
PDF资料下载

SI7192DP-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.9毫欧@20A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：135nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5800pF@15V
功率-最大值：104W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK?SO-8
供应商器件封装：PowerPAK?SO-8