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SI7302DN

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SI7302DN 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
13456
全新原厂原装现货
SI7302DN-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? 12..
2023+
500
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PowerPAKreg1..
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VISHAY
PowerPAK1212..
2023+
1328
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SI7302DN
SI
QFN1212-8
2023+
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相关型号： SI7288DP-T1-GE3 SI7272DP-T1-GE3 SI7236DP-T1-GE3 SI7236DP-T1-E3 SI7234DP-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-E3
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SI7302DN-T1-E3参数：MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：220V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：320 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：645pF @ 15V
功率 - 最大值：52W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

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