SI7703EDN-T1-E3参数：MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：48 毫欧 @ 6.3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 800µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? 1212-8供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8
