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SI7818DN

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SI7818DN 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
8363
全新原厂原装现货
SI7818DN-T1-E3
Vishay Silicon..
PowerPAK? 12..
2023+
7145
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Vishay Silicon..
PowerPAK? 12..
2023+
6490
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SI7818DN-T1-GE3
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PowerPAKreg1..
2023+
9000
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SI7818DN-T1-GE3
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2023+
18350
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SI7818DN-T1-E3
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PowerPAKreg1..
2023+
9350
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SI7818DN-T1-E3
VISHAY
PowerPAK1212..
2023+
1478
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SI7818DN
SI
QFN1212-8
2023+
1286
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相关型号： SI7812DN-T1-GE3 SI7812DN-T1-E3 SI7810DN-T1-GE3 SI7810DN-T1-E3 SI7806ADN-T1-GE3 SI7806ADN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3
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SI7818DN-T1-E3参数：MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：135 毫欧 @ 3.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? 1212-8
供应商器件封装：PowerPAK? 1212-8

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