SI7962DP-T1-E3参数：MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 11.1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：70nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.4W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SO-8供应商器件封装：PowerPAK? SO-8