SI7998

SI7998DP-T1-GE3
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SI7998DP-T1-GE3参数：MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：25A，30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.3 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 15V
功率 - 最大值：22W，40W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8 双
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8 Dual