SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1
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SI8402DB-T1-E1参数：MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：37 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.47W
安装类型：表面贴装
封装：4-XFBGA，CSPBGA
供应商器件封装：4-Microfoot