SI8429DB-T1-E1参数：MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： MOSFETsDesignedforOn-ResistanceRatingsat1.2V标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.2V驱动漏源极电压(Vdss)：8V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@1A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1640pF@4V功率-最大值：6.25W安装类型：表面贴装封装：4-XFBGA，CSPBGA供应商器件封装：4-Microfoot
