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SI9407BDY-T1-GE3

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SI9407BDY-T1-GE3
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SI9407BDY-T1-GE3参数：MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：600pF @ 30V
功率 - 最大值：5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N

SI9407BDY-T1-GE3

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