SIA0426C02

SIA406DJ-T1-GE3
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SIA406DJ-T1-GE3参数：MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：12V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19.8 毫欧 @ 10.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1380pF @ 6V
功率 - 最大值：19W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SC-70-6
供应商器件封装：PowerPAK? SC-70-6 单