SIA810DJ-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：-包装：剪切带 (CT)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：二极管（隔离式）漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：53 毫欧 @ 3.7A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.5nC @ 8V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 10V功率 - 最大值：6.5W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SC-70-6 双供应商器件封装：PowerPAK? SC-70-6 双