SIA914DJ-T1-GE3

SIA914DJ-T1-GE3
PDF资料下载

SIA914DJ-T1-GE3参数：MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
特色产品： PowerMOSFETsinPowerPAK?SC-70Package
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：53毫欧@3.7A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.5nC@8V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：400pF@10V
功率-最大值：1.9W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK?SC-70-6双
供应商器件封装：PowerPAK?SC-70-6双