SIB412DK-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：34 毫欧 @ 6.6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.16nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：535pF @ 10V功率 - 最大值：13W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SC-75-6L供应商器件封装：PowerPAK? SC-75-6L 单
