SIB452DK-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：190V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.4 欧姆 @ 500mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：135pF @ 50V功率 - 最大值：13W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SC-75-6L供应商器件封装：PowerPAK? SC-75-6L 单