SIB914DK-T1-GE3参数：MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：8V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：113 毫欧 @ 2.5A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.6nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：125pF @ 4V功率 - 最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：PowerPAK? SC-75-6L 双供应商器件封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
