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SIE802DF-T1

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相关型号： SIE800DF-T1-GE3 SIE800DF-T1-E3 SIE726DF-T1-GE3 SIE726DF-T1-E3 SIE503.3R SIE503.3LTR

SIE802DF-T1-E3
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SIE802DF-T1-E3参数：MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： VishaySiliconixPolarPAK?PowerMOSFETsWithDouble-SidedCooling
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.9毫欧@23.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.7V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：160nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：7000pF@15V
功率-最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：10-PolarPAK?（L）
供应商器件封装：10-PolarPAK?（L）

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