SIE810DF-T1-E3参数：MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： PolarPAK?PowerMOSFETs标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：60A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4欧姆@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：300nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：13000pF@10V功率-最大值：125W安装类型：表面贴装封装：10-PolarPAK?（L）供应商器件封装：10-PolarPAK?（L）
