SIHF10N40D-E3参数：MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：400V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：526pF @ 100V功率 - 最大值：33W安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220 整包
