SIHG22N60S-E3参数：MOSFET N-CH 600V 22A TO247
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：超级结漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：22A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 22A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：75nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2810pF @ 25V功率 - 最大值：250W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247AC
