SIHG73N60E-GE3参数：MOSF N CH 600V 73A E TO247AC
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：E 系列包装：剪切带 (CT)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：73A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 36A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：362nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7700pF @ 100V功率 - 最大值：520W安装类型：通孔封装：TO-247-3（TO-247AC）供应商器件封装：*
