SIHB12N60E-GE3参数：MOSFET N CH 600V 12A TO263
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1,000系列：E 系列包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 6A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：58nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：937pF @ 100V功率 - 最大值：147W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D2PAK
