SIHP18N50C-E3参数：MOSFET N-CH 500V 18A TO220
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： SiHP18N50C/SiHG20N50CMOSFETs标准包装：1,000系列：-包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：270毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：76nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2942pF@25V功率-最大值：223W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
