首页 > IC > S-1941页 >

SIR172DP-T1-GE3

供应查询
您是不是要找：SIR178DP-T1-RE3SIR180ADP-T1-RE3SIR180DP-T1-RE3SIR182DP-T1-RE3SIR182LDP-T1-RE3
SIR172DP-T1-GE3
Vishay Silicon..
PowerPAK? SO..
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
深圳市同亨电子有限公司 VIP会员
电话：18922857317(微信同号)
联系人：洪小姐
QQ询价
SIR172DP-T1-GE3
Vishay/Silicon..
PowerPAKregS..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市迈特新科技有限公司 VIP现货会员
电话：18922857317
联系人：李
QQ询价
SIR172DP-T1-GE3
QFN
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
SIR172DP-T1-GE3
SILICONIX
原厂标准封装
2023+
870
原装进口 优势现货 价格最..
相关型号： SIR168DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 SIR158DP-T1-GE3 SIR12-21C/TR8 SIPF-200A-RH

SIR172DP-T1-GE3
PDF资料下载

SIR172DP-T1-GE3参数：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.9 毫欧 @ 16.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：997pF @ 15V
功率 - 最大值：29.8W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK? SO-8
供应商器件封装：PowerPAK? SO-8

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网