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SIS426DN

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SIS426DN 优势库存
VISHAY
QFN8
2023+
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SIS426DN-T1-GE3
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SIS426DN-T1
SILICONIX
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相关型号： SIS424DN-T1-GE3 SIS415DNT-T1-GE3 SIS414DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3
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SIS426DN-T1-GE3参数：MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETswithTurboFET?
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.2毫欧@10A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1570pF@10V
功率-最大值：52W
安装类型：表面贴装
封装：PowerPAK?1212-8
供应商器件封装：PowerPAK?1212-8

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