SIZ700DT-T1-GE3参数：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：35nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 10V功率 - 最大值：2.36W，2.8W安装类型：表面贴装封装：6-PowerPair?供应商器件封装：6-PowerPair?
