SKB02N120参数：IGBT 1200V 2A 62W TO263-3-2
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：1,000系列：-包装：带卷 (TR)IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.6V @ 15V，2A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：9.6A功率 - 最大值：62WSwitching Energy：220µJ输入类型：标准Gate Charge：11nCTd (on/off) A 25°C：23ns/260nsTest Condition：800V, 2A, 91 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：50ns封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：PG-TO263-3-2