SP8M4FU6TB参数：MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：N 和 P 沟道FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A，7A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1190pF @ 10V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC N
