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SPA11N60C3

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SPA11N60C3 优势库存
Infineon
TO-220F
2023+
830
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SPA11N60C3XKSA1
Infineon Techn..
PG-TO220-3-31
2023+
500
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SPA11N60C3
Infeneon
8
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SPA11N60C3TO220F
2023+
195
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SPA11N60C3
2023+
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SPA11N60C3
InfineonTechno..
TO-220-3
2023+
1250
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SPA11N60C3TO220F
2023+
1473
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SPA11N60C3
Infineon
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2023+
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Infineon
TO-220F
2023+
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INFINEON
2023+
1,000
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SPA11N60C3
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2023+
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SPA11N60C3
INF
600
2023+
2011
相关型号： SPA10B SPA10AB SPA101M0ER SPA101M0EB SPA101M04R SPA101M04B

SPA11N60C3
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SPA11N60C3参数：MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
标准包装：50
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：11A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：380毫欧@7A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.9V@500µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1200pF@25V
功率-最大值：33W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：PG-TO220-FP

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