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SPB35N10

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SPB35N10
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SPB35N10参数：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：1,000
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：44毫欧@26.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1570pF@25V
功率-最大值：150W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：P-TO263-3

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